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                原廠(chǎng)入駐New

                如何選擇英飛凌OptiMOS? 與 StrongIRFET? ?

                OptiMOS?功率MOSFET擁有一流的出色表現。其特點(diǎn)包括極低的RDS(on) 以及高效率和高功率密度,是開(kāi)關(guān)頻率較高的應用的理想之選。
                StrongIRFET?功率MOSFET專(zhuān)門(mén)為工業(yè)級應用設計,特別適合于開(kāi)關(guān)頻率較低以及需要較高載流能力的應用。
                這一強大的產(chǎn)品組合涵蓋10V–300V區間,具有卓越的性能和出色的性?xún)r(jià)比,可滿(mǎn)足廣泛的需求。

                產(chǎn)品展示

                打卡任意三個(gè)產(chǎn)品,或下載兩個(gè)文檔,可獲得最多兩次抽獎機會(huì )

                OptiMOS? 6 家族

                使用 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 將您的設計提升到更高的系統效率水平

                英飛凌最新的 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 系列可實(shí)現最高水平的系統效率。OptiMOS? 6 采用最先進(jìn)的溝槽工藝,在開(kāi)關(guān)/導通損耗和電流能力方面有顯著(zhù)改進(jìn)。這些改進(jìn)可降低系統損耗,從而提高功率密度、電路板溫度和整體系統可靠性。目標應用包括開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS) 、可再生能源、Oring 電路、電機驅動(dòng)、LEV 和電池供電應用。

                該系列包含多款產(chǎn)品,包含全新推出的200V,以及120V, 100V,與40V家族。

                • OptiMOS? 6 200V
                • OptiMOS? 6 120 V
                • OptiMOS? 6 100 V
                • OptiMOS? 6 40 V
                • 重新定義行業(yè)標準
                  英飛凌新的200v MOSFET系列采用最新的OptiMOS?6
                  MOSFET溝槽技術(shù),可實(shí)現高功率密度、高效率和系統可靠性。

                  產(chǎn)品優(yōu)勢

                  ? 低傳導損耗
                  ? 開(kāi)關(guān)損耗低
                  ? 改善了EMI
                  ? 減少了并聯(lián)的需要
                  ? 并聯(lián)時(shí)更好的電流共享
                  ? 符合RoHS,無(wú)鉛

                  技術(shù)優(yōu)勢

                  ? 與上一代相比,室溫下RDS(開(kāi)啟)減少42%,175°C時(shí)減少53%
                  ? 降低了Qrr和提高了電容線(xiàn)性度,提高了開(kāi)關(guān)性能
                  ? 在不影響EMI的情況下,降低傳導和開(kāi)關(guān)損耗
                  ? 改進(jìn)了SOA以增加保護開(kāi)關(guān)應用中的MOSFET電流處理
                  ? 設計優(yōu)化和生產(chǎn)精度使可靠的高性能技術(shù)

                  OptiMOS 6 200V 介紹視頻

                  • OptiMOS 6 200V 介紹 PPT
                  • MOSFET系列 應用文檔
                  • 在大電流應用中并聯(lián) MOSFET
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                • 英飛凌的 OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET系列適用于高頻和低頻的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用,提供正常和邏輯電平兩種類(lèi)型。它可廣泛應用于工業(yè)電源、太陽(yáng)能、電源充電器、低壓驅動(dòng)器和電動(dòng)工具等領(lǐng)域。

                  產(chǎn)品優(yōu)勢

                  ? 最高的效率
                  ? 高功率密度
                  ? 系統可靠性高
                  ? 高效的器件,導致更少的冷卻需求和更少的并聯(lián)器件數量
                  ? 可靈活選擇PCB材料

                  技術(shù)優(yōu)勢

                  ? 業(yè)界在120 V中最低的RDS(on)
                  ? 在各種應用的開(kāi)關(guān)和傳導損耗之間取得最佳平衡
                  ? 在不需要150 V電壓的情況下,有更低的RDS(on)和FOMs
                  ? 廣泛的封裝選擇:用于FR4和IMS PCB的SMD,頂部冷卻和THD
                  ? 具有工業(yè)資質(zhì)和Tj_max = 175°C,可實(shí)現卓越的功率處理和堅固性
                  ? 與 100 V 器件相比,提供了更高的電壓余量

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                • 英飛凌 OptiMOS? 6 power MOSFETs 100 V系列是電信和太陽(yáng)能等高頻開(kāi)關(guān)應用的理想選擇。英飛凌領(lǐng)先的薄晶圓技術(shù)實(shí)現了顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。

                  產(chǎn)品優(yōu)勢

                  ? 導通損耗低
                  ? 開(kāi)關(guān)損耗低
                  ? 快速開(kāi)啟和關(guān)閉
                  ? 減少并聯(lián)
                  ? 性能穩健可靠
                  ? 環(huán)保

                  技術(shù)優(yōu)勢

                  ? RDS(on)降低約 20%
                  ? FOMg 改善了 30%,FOMgd 改善了40%
                  ? 較低和較柔和的反向恢復電荷 (Qrr)
                  ? 175 °C 結溫等級
                  ? 高雪崩能量等級
                  ? 無(wú)鉛鍍層,符合RoHS標準

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                • OptiMOS?6 40V 結合了同類(lèi)最佳的RDS(on)以及優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。英飛凌市場(chǎng)領(lǐng)先的OptiMOS?6 功率MOSFET 40V備有兩種不同的封裝:
                  - SuperSO8 - 5 x 6 mm with RDS(on) 范圍從5.9 mΩ降至0.7 mΩ
                  - PQFN 3x3 - 3.3 x 3.3 mm with RDS(on)范圍從6.3 mΩ降至1.8 mΩ

                  產(chǎn)品優(yōu)勢

                  ? 低開(kāi)關(guān)損耗
                  ? 低寄生效應和低工作溫度
                  ? 低柵極驅動(dòng)損耗
                  ? 符合 RoHS 標準的無(wú)鉛產(chǎn)品

                  技術(shù)優(yōu)勢

                  ? 超低 QG
                  ? 低 RDS(on)
                  ? 裸露焊盤(pán)
                  ? 邏輯和普通柵極驅動(dòng)兩種形式
                  ? 符合 RoHS 標準

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                StrongIRFET?

                StrongIRFET?功率MOSFET專(zhuān)門(mén)為工業(yè)級應用設計,特別適合于開(kāi)關(guān)頻率較低以及需要較高載流能力的應用。

                • StrongIRFET? 2 Power MOSFET
                • StrongIRFET? Power MOSFET
                • StrongIRFET? 2系列,采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿(mǎn)足 開(kāi)關(guān)電源、 電機驅動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車(chē)和太陽(yáng)能等多種應用需求。

                  該系列產(chǎn)品實(shí)用性強、性?xún)r(jià)比高,對于追求便捷選購的設計師而言,堪稱(chēng)理想之選。 該系列產(chǎn)品針對低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實(shí)現靈活設計。新產(chǎn)品支持各類(lèi)封裝,包括TO-220, TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7引腳以及DPAK封裝。

                  與之前的 StrongIRFET? 器件相比,這項新技術(shù)可提供高達 40% 的 RDS(on) 改進(jìn)和高達 60% 的 Qg 降低,從而轉化為更高的功率效率,從而提高整體系統性能。 更高的額定電流可實(shí)現更高的載流能力,無(wú)需再并聯(lián)多個(gè)器件,從而降低了 BOM 成本并節省了電路板面積。

                  StrongIRFET? 2 系列功率 MOSFET 技術(shù)適用于各種應用,例如 SMPS、電機驅動(dòng)、電池供電、電池管理、UPS 和輕型電動(dòng)汽車(chē)。

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                • StrongIRFET?功率MOSFET系列針對低R DS(on)和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合于要求高性能和耐用性的低頻應用,如電池供電電路以及用于包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē)輛和需要高能量的電動(dòng)自行車(chē)等終端應用在內的有刷和無(wú)刷直流(BDLC)電動(dòng)機驅動(dòng)器。在該器件的應用下,系統的能量效率將得到提高。

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                  溫馨提示
                  活動(dòng)結束后由工作人員統一郵件核對快遞地址,獎品將在15個(gè)工作日內寄出。
                  如因注冊報名信息不全,導致在活動(dòng)結束前無(wú)法與您取得聯(lián)系,將視為自動(dòng)放棄領(lǐng)獎機會(huì )。

                  活動(dòng)說(shuō)明:

                  1. 抽獎規則:在此期間內完成打卡的工程師用戶(hù),可獲得抽獎機會(huì );打卡任意三個(gè)產(chǎn)品,或下載兩個(gè)文檔&觀(guān)看視頻,可獲得最多兩次抽獎機會(huì )。請如實(shí)填寫(xiě)資料,以便中獎后與您聯(lián)系及安排獎品寄送。

                  2. 活動(dòng)期限:即日起——2024年7月31日

                  3. 僅限電子行業(yè)人員參與,不支持小號、馬甲號參與抽獎,一經(jīng)發(fā)現立即取消中獎資格。

                  打卡產(chǎn)品 0/3 下載文檔&觀(guān)看視頻 0/2 點(diǎn)擊抽獎
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