氮化鎵知識

• 氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場(chǎng)趨勢研究報告

  根據Global Info Research電子及半導體項目團隊最新調研，預計2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達到305

  2024-09-24 標簽： 半導體 晶圓 氮化鎵 206 0

• 晶通半導體獲6000萬(wàn)Pre-A輪融資,加速氮化鎵技術(shù)創(chuàng )新

  9月19日，晶通半導體（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“晶通半導體”）正式宣布完成了總額達6000萬(wàn)元人民幣的Pre-A輪融資，本

  2024-09-23 標簽： 氮化鎵 驅動(dòng)芯片 功率半導體 366 0

• 功率氮化鎵進(jìn)入12英寸時(shí)代！

  電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）提升芯片產(chǎn)能的最顯著(zhù)方式，就是擴大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。

  2024-09-23 標簽： 功率 氮化鎵 12英寸晶圓 2337 0

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  分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應用

  如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體新材料得到廣泛應用，它們具有更高的導熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移

  2024-09-12 標簽： 分立器件 氮化鎵 STC89C52單片機語(yǔ)音播報功能水溫控 281 0

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  英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術(shù)， 推動(dòng)行業(yè)變革

  2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全

  2024-09-12 標簽： 英飛凌 氮化鎵 GaN 941 0

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  40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發(fā)售！

  誠芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級

  2024-09-10 標簽： iPhone 氮化鎵 快充 255 0

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  650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

  針對寬輸出電壓應用場(chǎng)合，為了滿(mǎn)足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加

  2024-09-06 標簽： 芯片 氮化鎵 GaN 336 0

• 氮化鎵和砷化鎵哪個(gè)先進(jìn)

  氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應用領(lǐng)域中都展現出了卓越的性能。然而，要判

  2024-09-02 標簽： 半導體材料 氮化鎵 砷化鎵 841 0

• 氮化鎵和碳化硅哪個(gè)有優(yōu)勢

  氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當前半導體材料領(lǐng)域的佼佼者，它們各自具有獨特的優(yōu)勢，應用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩

  2024-09-02 標簽： 半導體材料 氮化鎵 碳化硅 744 0

• 碳化硅與氮化鎵哪種材料更好

  引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿

  2024-09-02 標簽： 電子器件 半導體材料 氮化鎵 459 0

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